Dépôt institutionnel de l'universite Freres Mentouri Constantine 1

Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN

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dc.contributor.author Telia A.
dc.contributor.author Alshaikh-Eid Majdi
dc.date.accessioned 2022-05-30T09:34:24Z
dc.date.available 2022-05-30T09:34:24Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier.uri http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/11414
dc.description 77 f.
dc.language.iso fre
dc.subject Electronique
dc.title Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN
dc.coverage 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 Disquette


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