Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN

Telia A.; Alshaikh-Eid Majdi

المكان (URI): http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/11414

التاريخ: 2017-01-01

الوصف:

77 f.

عرض سجل المادة الكامل

الملفات في هذه المادة

الملفات	الحجم	التنسيق	عرض

هذه المادة تظهر في الحاويات التالية

Non classé (Electronique)

بحث دي سبيس

استعرض

جميع محتويات المستودع
هذه الحاوية

حسابي