Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN

dc.contributor.author	Telia A.
dc.contributor.author	Alshaikh-Eid Majdi
dc.date.accessioned	2022-05-30T09:34:24Z
dc.date.available	2022-05-30T09:34:24Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/11414
dc.description	77 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 Disquette

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