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Le Transfert à l'effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium.<< Propriétés statiques et dynamiques>>

Kenzai C.; Kaddour Chahrazed (2017-01-01)
Propriétés statiques et dynamiques du MESFET GaAs

Kenzai C.; Saidi Yasmina (2017-01-01)
Modélisation et simulation des transistors mesfet Ga AS

Kenzai C.; Khemissi SaÐdeddine (2017-01-01)
Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs

Kenzai C.; Benzaoui Ouassila (2017-01-01)
Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs

Kenzai C.; Bouzina Samir (2017-01-01)
Modèlisation bidimensionnelle des composants à effet de champ

Zaabat Mourad; Kenzai C. (2017-01-01)
Dispersion frequentielle des paramétres dans les composants MESFET GaAs

Kenzai C.; Bouaouina Boudjemaa (2017-01-01)

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