Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium

dc.contributor.author	Kenzai C.
dc.contributor.author	Aliouat Wassila Née Saidi
dc.date.accessioned	2022-05-25T09:09:29Z
dc.date.available	2022-05-25T09:09:29Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/9756
dc.description	77 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Physique
dc.title	Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD