Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs

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dc.contributor Kenzai C.
dc.creator Benzaoui Ouassila
dc.date.accessioned 2016-11-14T13:22:52Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier http://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2985
dc.identifier 2985
dc.identifier 20110221u u u0frey50 ba
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/123456789/9518
dc.description 96 f.
dc.language fre
dc.subject Physique
dc.title Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs
dc.coverage 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale


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