Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé

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dc.contributor Baudrand H.
dc.creator Marir-benabbas Mimia
dc.date.accessioned 2016-11-14T13:16:05Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier http://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2382
dc.identifier 2382
dc.identifier 20110124u u u0frey50 ba
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/123456789/8917
dc.description Non paginée
dc.language fre
dc.subject Electronique
dc.title Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé
dc.title Performances physiques et potentielles des hétérostructures (HEMTs) à gaz bidimensionnel à très haute mobilité éléctronique
dc.coverage 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale


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