Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé

dc.contributor	Baudrand H.
dc.creator	Marir-benabbas Mimia
dc.date.accessioned	2016-11-14T13:16:05Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier	http://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2382
dc.identifier	2382
dc.identifier	20110124u u u0frey50 ba
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/8917
dc.description	Non paginée
dc.language	fre
dc.subject	Electronique
dc.title	Modèlisation des transistors à effet de champ à dopage modulé
dc.title	Performances physiques et potentielles des hétérostructures (HEMTs) à gaz bidimensionnel à très haute mobilité éléctronique
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale

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