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    • Étude de l'évolution de l'interface Ni/GaAs lors d'un recuit 

      Rabhi, S; Benoudia, Med. C; Hoummada, K; Perrin-Pellegrin, C (Université des Frères Mentouri Constantine, 2016-12-15)
      Les travaux de recherche se sont orientés vers les semi-conducteur III-V, nous nous somme intéressé plus précisément aux deux systèmes GaAs et InAs, car ces derniers présentent des propriétés intéressantes commela haute ...