L'ÉTUDE PAR SIMULATION DE L'INFLUENCE DU DOPAGE SUR LES PARAMÈTRES CARACTÉRISTIQUES DES CELLULES SOLAIRES À BASE DE SILICIUM AMORPHE

Abstract

Les atouts principaux de l'énergie solaire sont une réserve quasi-inépuisable à notre échelle, ainsi que son accessibilité géographique, en dépit de son intermittence. Le solaire photovoltaïque (PV), dont la recherche a débuté dans les années 1950, est l'une des techniques les plus prometteuses pour récupérer cette énergie. Celle-ci a connu de nombreux développements et plusieurs technologies ont émergé à ce jour. Parmi les différentes technologies photovoltaïques, les cellules en couches minces présentent des avantages significatifs. L'étude proposée concerne l'optimisation du rendement des cellules solaires à base de silicium amorphe a-Si en fonction du dopage de différentes couches des cellules. Et aussi voir l'influence de ce dernier sur les paramètres caractéristiques de nos deux cellules telle que le courant de court-circuit Icc, la tension en circuit ouvert Vco, le facteur de forme FF et le rendement de conversion PV (η) avec un éclairement de 1000w/m2 et une température de 300°K. Il nous a donné un rendement de 30.987% de la cellule double jonction GaAs/a-Si par rapport à la mono jonction a-Si qui est de 24.590% pour une valeur du dopage de 3E18 cm3