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Modèlisation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de Gallium

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dc.contributor.author Amourache Samia
dc.contributor.author Kenzai-Azizi C.
dc.date.accessioned 2022-05-30T09:38:58Z
dc.date.available 2022-05-30T09:38:58Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier.uri http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/12136
dc.description 130 f.
dc.language.iso fre
dc.subject Physique
dc.title Modèlisation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de Gallium
dc.coverage 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD


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