Modèlisation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de Gallium

dc.contributor.author	Amourache Samia
dc.contributor.author	Kenzai-Azizi C.
dc.date.accessioned	2022-05-30T09:38:58Z
dc.date.available	2022-05-30T09:38:58Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/12136
dc.description	130 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Physique
dc.title	Modèlisation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de Gallium
dc.coverage	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD