Dépôt institutionnel de l'universite Freres Mentouri Constantine 1

Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs

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dc.contributor.author Kenzai C.
dc.contributor.author Benzaoui Ouassila
dc.date.accessioned 2022-05-30T09:37:14Z
dc.date.available 2022-05-30T09:37:14Z
dc.date.issued 2017-01-01
dc.identifier.uri http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/11841
dc.description 96 f.
dc.language.iso fre
dc.subject Physique
dc.title Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs
dc.coverage 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale


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