Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs

dc.contributor.author	Kenzai C.
dc.contributor.author	Benzaoui Ouassila
dc.date.accessioned	2022-05-30T09:37:14Z
dc.date.available	2022-05-30T09:37:14Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.uri	http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/11841
dc.description	96 f.
dc.language.iso	fre
dc.subject	Physique
dc.title	Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs
dc.coverage	1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale