| dc.description.abstract |
Des couches minces de fer de 800 et 1000 À d’épaisseur, ont été évaporées par effet
Joule sur du sihcium monocnstalln d'orientation (100) non chaitié, Elles ont été traitées
thermiquement, sous vide, entre 500 et 900°C pendant 60 minutes
Les échantillons, <unsi prépares, ont été caractérisés essentiellement par la
spectrométrie de rétroditHision Rutherford de particules alpha (RBS) et la diffraction des
rayons X (DRX). Les phénomènes d îileidithisioii et la sequence de croissance des
composés FeSi et FeSç à l’interface Fe/Si ont été étudiés
Le recuit thermique dans l’intervnlle de température |6*>0, 700°r| du système Fe-Si,
conduit à une fonnation non mulbmie en profondeur du silicaire FeSi L'augmentation de la
température jusqu’à 750°<\ entonne la croissance du dissilkinre p-PoSfe au dépend du
monosilichrre FeSi 11 reste stable, même pour des températures plus élevées.
Enfin, une caractérisation électrique ï(V) a été effectuée, penuettant d’étudier les
mécanismes de conduction des différentes stmctuies eu tonclion de la nature du siliciui'e
formé. Cette étude électrique montre que V- nvtiü du toiitact Fe/Si conduit vers la formation
de diode Schottky FeSi/Si(n) et d’hétérojonction p-n |)-FeSi>(pVSi(n) fortement contaminées
en oxygène. Ces structures présentent une double caractéristique I(V) de diode en directe et
en inverse. Le mécanisme responsable de la conduction n'est pas d'origine thermoïonique. |
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